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元件参数资料
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参数目录40445
> IRF6665TRPBF MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
型号:
IRF6665TRPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF6665TRPBF PDF
产品目录绘图
IR Hexfet Circuit
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
62 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
530pF @ 25V
功率 - 最大
2.2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DirectFET? 等容 SH
供应商设备封装
DIRECTFET? SH
包装
标准包装
其它名称
IRF6665TRPBFDKR
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